Gratias tibi ago pro natura.com adire.Versionem navigatoris limitata CSS auxilio uteris.Ad optimam experientiam commendamus ut navigatro renovato uteris (vel inactivare Compatibilitas Modus in Penitus Rimor).Praeterea, ad sustentationem permanentem, situm sine stylis et JavaScript ostendemus.
Simul labitur carousel trium ostentat.Bullae Priore et Posteriore utere ut per tres lapsus tempore moveantur, vel globulis lapsus utere in fine, ut per tres lapsus tempore moveatur.
Hic demonstramus imbibitionem inductam, spontaneam et selectivam udus proprietatum in superficiebus metallicis cum microscale notis topographicis in superficiebus metallicis fundatis liquidae metallicae mixturae.Admixtiones metallicae Gallium substructio liquidae materiae mirabiles sunt cum ingenti superficie tensionis.Ideo difficile est eas membranas in tenues formare.Integra udus offensionis gallii et latii eutectici effectum est in superficie aeris microstructa coram vaporibus HCl, qui oxydatum naturale e metallo liquido offensionis removerunt.Haec udus numero explicatur secundum exemplar Wenzel et processum osmosis, ostendens microstructuram magnitudinem criticam esse ad efficiens osmosis inducta udus metallorum liquidorum.Praeterea demonstramus spontaneam udus metallorum liquidorum selective dirigi posse per regiones microstructas in superficie metallica ad exemplaria creanda.Hic processus simplex aequaliter tunicas et figuras metallicae liquidae super magnas areas sine vi externa vel complexu tractando.Demonstratum est metallum liquidum substratae subiectae nexus electricas retinere etiam cum extentis et repetitis cyclis tendere.
Gallium innixum admixtionum metalli liquoris (GaLM) multum attraxit ob proprietates attractivas ut punctum liquescens, altum conductivity electrica, humilis viscositas et fluxus, humilis toxicitas et alta deformitas1,2.Gallium purum punctum liquescens circiter 30 °C habet, et in compositionibus eutecticis cum metallis quibusdam ut In et Sn conflatis, punctum liquescens infra cella temperies est.Duo gaLMs principales sunt gallium indium eutecticum mixturae (EGaIn, 75% Ga et 25% in pondere, punctum liquescens: 15.5 °C) et gallium indium plumbi stannum eutecticum (GaInSn vel galinstan, 68.5% Ga, 21.5% In, et 10 % tin, punctum liquescens: ~11 °C)1.2.Propter conductivity electricae in liquida periodo, GaLMs active investigantur ut distrahentes vel deformabiles vias electronicas pro variis applicationibus, electronic3,4,5,6,7,8,9 sensoriis incluso coacta vel curvata sensoriis 10, 11, 12 , 13, 14, et adducit 15, 16, 17. Fabricatio talium machinarum per depositionis, typographiae et exemplaris ex GaLM cognitionem et potestatem requirit interfaciales proprietates GalM et eius subiecta subiecta.GaLMs altam superficiem tensionem habent (624 mNm-1 pro EGaIn18,19 et 534 mNm-1 pro Galinstan20,21) quae difficiles contrectare vel manipulare possunt.Formatio duri crustae gallii nativi super superficiem GalM sub conditionibus ambientibus praebet testam quae GalM in figura non sphaerica stabilit.Haec proprietas permittit GaLM imprimi, microchannels insita, et ortae stabilitate interfaciali per oxides 19, 22, 23, 24,25, 26,27.Crusta oxydatum durum etiam GalM superficiebus levissimis adhaerere permittit, sed humilis viscositas metallorum libere fluere prohibet.Propagationis GaLM in plerisque superficiebus vim oxydi conchae frangendi requirit 28,29.
Testae oxydorum tolli possunt, exempli gratia, fortia acida vel bases.Absentibus oxydis, GaLM in omnibus fere superficiebus guttas facit propter immensam superficiem tensionis, sed exceptiones sunt: ​​GaLM subiecta metallo instillat.Ga vincula metallica cum aliis metallis format per processum qui "reactivum udus" 30, 31,32.Haec udus reciprocus saepe examinatur in absentia oxydi superficiei ad contactum metallicum faciliorem.Tamen, etiam cum oxydis indigenis in GaLM, relatum est contactus metallorum ad metalla formare cum oxydi in contactu cum superficiebus metallis levibus erumpunt 29 .Reactivum udus consequitur in angulis inferioribus contactuum et bonum udus plurimorum metallorum subiectorum 33,34,35.
Ad diem multa studia peracta sunt in usu favorabilium proprietatum reactivae udus GaLM cum metallis ad exemplar GaLM formandum.Exempli gratia, GaLM adhibitus est ad ornatum solidorum metallicarum vestigia liniendo, volvendo, spargendo, vel umbram masking 34, 35, 36, 37, 38. GALM in metallis duris udus selectivus permittit GaLM ad exemplaria stabilia et bene definita formare.Attamen alta superficies tensio GaLM impedit formationem membranarum valde aequabilium tenuium etiam in metallis subiecta.Lacour et al.rettulit methodum ad membranas tenues GalM planas producendas super magnas areas per evaporationem puram gallium super aurum bitumen substratum 37,39.Haec methodus depositionis vacuum requirit, quae tardissima est.Praeterea GaLM plerumque non permittitur pro talibus machinis ob embrittionem possibilis.Evaporatio etiam materiam in subiecto deponit, ut exemplar ad exemplar efficiendum requiratur.Quaerimus viam ad membranas et exemplaria creandi lenis GaLM, designando notas metallicas topographicas quae GaLM sponte et selective umectat in absentia oxydorum naturalium.Hic referimus spontaneam selectivam udus oxidei gratis EGaIn (GalM typicam) utentes mores singulares udus in photolithographice structurae metallicae subiectae.Photolithographice definitas structuras superficiei in gradu parvo ad studium haustionis creamus, ita moderantes udus metallorum oxydatum liberorum liquidorum.Melior udus proprietatum EGaIn super superficiebus metallicis microstructis explicatur per analysim numeralem secundum exemplar Wenzel et processus impregnationis.Denique magnam aream depositionem et exemplarem EGaIn demonstramus per sui effusio- nem, spontaneam et selectivam udus in superficiebus metallicis microstructuris depositionis.Electrodes distrahentes et iactantia medetur incorporandi EGaIn structurae ut applicationes potentiales.
Effusio est excessus capillaris in quo liquor superficies 41 texturae ingreditur, quae dilatationem liquoris faciliorem reddit.Mores udus EGaIn in metalli superficiebus microstructuris in HCl vaporibus depositis (fig. 1) indagavimus.Aeris electa est ut metallum pro superficiei subjectae. In superficiebus aeris planis, EGaIn angulum contactum humilem <20° ostendebat coram vaporis HCl, ob humidum reactivum 31 (Supplem. Fig. 1). In superficiebus aeris planis, EGaIn angulum contactum humilem <20° ostendebat coram vaporis HCl, ob humidum reactivum 31 (Supplem. Fig. 1). а плоских медных поверхностях EGaIn показал низкий краевой угол <20° в присутствии паров HCl из-за реаоктивн льный рисунок 1). In superficiebus aeneis planis, EGaIn angulum <20° contactum humilem ostendebat coram vaporum HCl ob humidum reactivum 31 (Figura suppletiva 1).EGaIn HCl <20° 31（补充图1）。EGaIn在存在HCl а плоских медных поверхностях EGaIn демонстрирует низкие краевые углы <20° в присутствии паров HCl изаовов HCl изаовов нительный рисунок 1). In superficiebus aeneis planis, EGaIn ostendit humilem <20° angulos contactum coram vapore HCl ob udus reactivum (Figura suppletiva 1).Nos angulos arctos EGaIn in mole aeris et membranas aeris in polydimethylsiloxane depositas (PDMS).
a Columna (D (diameter) = l (distantia) = 25 µm, d (distantia inter columnas) = ​​50 µm, H (altitudo) = 25 µm) et pyramidalis (latitudo = 25 µm, altitudo = 18 µm) microstructurae in Cu /PDMS subiecta.b Mutationes vicis-dependentes in angulo contactus in substratis planis (sine microstructuris) et columnarum ac pyramidum vestitiones PDMS aeneas continentium.c, d Intervallum de visu (c) laterali et (d) conspectum EGaIn udus in superficie cum columnis in praesentia HCl vaporis.
Ad effectum topographiae in udus perpendendum, PDMS subiectae cum forma columnari et pyramidali paratae sunt, in quibus aes cum strato adhaesivo titanio deponitur (fig. 1a).Demonstratum est microstructuram superficiei PDMS subiectae aeneo conformiter obductam esse ( Fig. 2).Contactus temporis dependens angulos EGaIn in figuratis et planis aeruginis PDMS (Cu/PDMS) monstrantur in Fig.1b.Contactus angulus EGaIn in ortae aeris/PDMS guttae ad 0° intra ~1 min.Meliorus udus EGaIn microstructuris uti potest ab aequatione Wenzel \({{{{\rm{cos}}}}}}}\,{\theta}_{{ aspera}}=r\,{{{{} \rm{ cos}}}}}}\,{\theta}_{0}\), ubi \({\theta}_{{aspi}}\) angulus superficiei asperi contactus repraesentat, \ (r. \) Asperitas superficies ( = area actualis / area apparentis) et angulus contactus in plano \({\theta}_{0}\).Eventus auctus udus EGaIn in superficiebus exemplaribus bene concordant cum exemplar Wenzel, quia valores r ad dorsum et superficies pyramidales formatae sunt 1.78 et 1.73, respective.Hoc etiam significat quod gutta EGaIn in superficie formata sitam penetrabit in striatae subsidio subiectae.Interest notandum quod membranae planae valde uniformes in hoc casu formantur, contra casum cum EGaIn in superficiebus informibus (Fig. 1).
Ex ficu.1c, d (Supplementary Movie 1) videri potest quod post 30 s, ut angulus contactus apparentis appropinquat 0°, incipit EGaIn longius ab ore guttae diffundere, quod causatur effusio (Supplementary Movie 2 et Accessiones Fig. 3).Studia superiorum superficierum planae temporis scalam reactivae udus accesserunt cum transitu ab inertia ad udus viscosum.Magnitudo locorum est una e praecipuis factoribus in determinando an auto-primatio fiat.Comparando energiam superficiem ante et post imbibitionem ex parte thermodynamica, angulus contactus \({\theta}_{c}\) imbibitionis derivatus est (vide Discussion accessiones pro details).Effectus \({\theta}_{c}\) definitur ut \({{({({\rm{cos))))))\,{\theta}_{c}=(1-{\ phi } _{S})/(r-{\phi}_{S})\) ubi \({\phi}_{s}\) aream fractam in summitate cursoris et \(r\ repraesentat. ) Repraesentat superficiem asperitatis. Imbibitio fieri potest cum \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), id est, angulus contactus in superficie plana. Imbibitio fieri potest cum \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), id est, angulus contactus in superficie plana. питывание ожет происходить, когда \({\theta} _ {c} \)> \({\theta } _ {0} \), т.е.контактный угол на плоской поверхности. Effusio fieri potest cum \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), hoc est angulus contactus in superficie plana.\({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\)，即平面上的接触角时，会发生吸吸。\({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\)，即平面上的接触角时，会发生吸吸。 сасывание происходит, когда \({\theta} _ {c} \)> \({\theta} _ {0} \), контактный угол на плоскости. Suctio fit cum \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), angulus contactus in plano.Nam superficies post-formes \(r\) et \({\phi}_{s}\) computantur ut \(1+\{(2\pi {RH})/{d}^{2} \ } \ ) & \(\pi {R}^{2}/{d}^{2}\), ubi \(R\) repraesentat columnam radium, \(H\) repraesentat columnam altitudinis \ ( d\) distantia centra columnarum duarum (Fig. 1a).Nam superficies post-structa in fig.1a, angulus \({\theta}_{c}\) est 60°, qui maior est quam \({\theta}_{0}\) planum (~25°) in HCl vaporum Oxide liberorum EGaIn in Cu/PDMS.Guttae igitur EGaIn superficies aeris in Fig. 1a ob effusionem structuram depositionem facile invadere possunt.
Ad effectum explorandae magnitudinis topographicae exemplaris in udus et effusione EGaIn, magnitudinem columnarum aenearum iactaret variavimus.Pridie fici.2 ostendit contactus angulorum et effusio EGaIn in his subiectis.Distantia l inter columnas aequatur diametro columnarum D et iugis ab 25 ad 200 µm.Altitudo 25 µm omnibus columnis constans est.\({\theta}_{c}\) crescente columnae magnitudine (Tabula 1) decrescit, quod significat effusio minus probabile substratum cum columnis maioribus.Omnes magnitudines probatae, \({\theta}_{c}\) maior est quam \({\theta}_{0}\) et expectatur wicking.Raro tamen servatur effusio in superficiebus post-formatis cum l et D 200 µm (Fig. 2e).
a angulo contactus EGaIn in superficie Cu/PDMS cum columnis diversarum magnitudinum dependens post exposita ad vaporem HCl.b-e Top et latus views de EGaIn udus.b D = l = 25 µm, r = 1.78.in D = l = 50 µm, r = 1.39.dD = l = 100 µm, r = 1.20.eD = l = 200 µm, r = 1.10.Omnes stipes altitudinem 25 µm habent.Imagines hae captae sunt saltem 15 minutae expositi vapori HCl.Guttae super EGaIn sunt aquae ex reactione inter oxydatum gallium et vaporem HCl.Scalae omnes in (b — e) sunt 2 mm.
Alia criterium ad liquidum effusionem determinandum verisimilitudo est fixio liquidi in superficie, exemplo apposito.Kurbin et al.Relatum est, cum (1) columnae satis altae sint, stillae ab superficie ortae absorbebuntur;(2) intervallum inter columnas minus exiguum est;et ( 3 ) angulus contactus liquoris in superficie satis exiguus 42 .Nume \({\theta}_{0}\) fluidi in plano continens eandem materiam subiectam minus esse debet quam angulus contactus criticus ad fibulationem, \({\theta}_{c,{pin))} \ ), ad absorptionem inter postes, ubi \({\theta}_{c,{pin}}={{{{{\rm{arctan}}}}}}(H/\magnus \{ ( \ sqrt{2}-1)l\magnus\})\) (vide praeterea disputationem de singulis).Valor \({\theta}_{c,{pin}}\) in magnitudine paxilli pendet (Tabula 1).Determinare dimensivam parametri L = l/H diiudicare num fiat effusio.Absorptio L minus quam vexillum limen esse debet, \({L}_{c}\) = 1/\(\magnus\{\magnus(\sqrt{2}-1\magnus){{\tan} }{ \theta}_{{0}}\magnum\}\).Nam EGaIn \(({\theta}_{0}={25}^{\circ})\) in aeneo subiecto \({L}_{c}\) est 5.2.Cum L columna 200 µm sit 8, quae maior valor ipsius \({L}_{c}\), EGaIn effusio non occurrit.Ad ulteriorem geometriae effectum probandum, variarum H et l auto-primationis observavimus (Supplementaria Fig. 5 et Tabulae Accessiones 1).Eventus cum calculis nostris bene concordant.Sic L evadit effusio predictor efficax;metallum liquidum absorbens ob fibulationem sistit, cum distantia columnarum relative magna ad altitudinem columnarum comparata est.
Wettability determinari potest in compositione superficiei subiecti.Effectum compositionis superficiei in udus et absorptione EGaIn inquisivimus in columnis et planis co-depositis Si et Cu (Fig. VI).Angulus contactus EGaIn ab ~160° ad 80° decrescit ut superficies binaria Si/Cu ab 0 ad 75% ad planam aeris contenti crescit.Pro 75% Cu/25% Si superficies, \({\theta}_{0}\) est ~80°, quod respondet \({L}_{c}\) = 0.43 secundum praedictam definitionem. .Quoniam columnae l = H = 25 µm cum L = 1 major limen \({L}_{c}\), 75% Cu/25% Si superficies post formationem ob immobilizationem non haurit.Quoniam contactus angulus EGaIn addito Si augetur, requiritur superior H vel inferior l superare fibulam et impregnationem.Cum igitur angulus contactus (id est \({\theta}_{0}\)) pendet a compositione chemicae superficiei, etiam determinare potest num in microstructura imbibitio fiat.
EGaIn effusio ortae aeris/PDMS liquidum metallum in utilia exemplaria madefacere potest.Ad aestimandum numerum minimum linearum columnarum imbibitionem facientium, proprietates udus EGaIn observatae sunt in Cu/PDMS cum lineis post-exemplaribus continentibus distinctos numeri columnae ab 1 ad 101 (Fig. 3).Maxime in regione post-pattern rigare contingit.EGaIn wicking certo observatum est et evicium numerum columnarum ordine auctum.Effusio fere nunquam fit, quando sunt pali binae vel minus lineae.Hoc potest ex pressura capillaria augeri.Ut in forma columnari absorptio fiat, superanda est pressionis capillaris per curvaturam capitis EGaIn (Supplementary Fig. 7).Ponens radium curvaturae 12.5 µm pro uno versu EGaIn capite cum forma columnari, pressio capillaris est ~0.98 atm (~740 Torr).Haec alta pressio Laplace impedire potest udus per effusio EGaIn causata.Item, pauciores ordines columnarum possunt effusio vim reducere quae est actio capillaria inter EGaIn et columnas.
guttae EGaIn in cu/PDMS structae cum exemplaria diversarum latitudinum (w) in aere (ante exposita vapori HCl).Ordines tormentorum a summo incipientes: 101 (w = 5025 µm), 51 (w = 2525 µm), 21 (w = 1025 µm), et 11 (w = 525 µm).b Directional udus EGaIn in (a) expositi vaporum HCl pro 10 min.c, d Weting of EGaIn in Cu/PDMS cum columnis structuris (c) duobus ordinibus (w = 75 µm) et (d) uno versu (w = 25 µm).Hae imagines desumptae sunt 10 minutae post expositae vapori HCl.Scalae (a, b) et (c, d) sunt 5 mm et 200 µm, respective.Sagittae in (c) curvaturam capitis EGaIn ob effusionem indicant.
Effusio EGaIn in post-formata Cu/PDMS permittit EGaIn ab udus selectivo formari (Fig. 4).Cum gutta EGaIn in area ortae positae et vapori HCl expositae, gutta EGaIn primo concidit, parvum contactum angulum formans sicut scalam acidum removet.Deinde ab ore guttae incipit effusio.Magnae area exemplum effici potest e scala centimetris EGaIn (Fig. 4a, c).Cum effusio solum in superficie topographica fiat, EGaIn solum aream exemplaris madefacit et paene madefacit cum ad planiciem pervenit.Quamobrem limites acutorum exemplarium EGaIn observantur (Fig. 4d, e).Pridie fici.4b ostendit quomodo EGaIn regionem informem invadit, praesertim circa locum ubi EGaIn domicilium primum collocatum est.Causa erat, quia minima diametri EGaIn guttulis in hoc studio adhibitae latitudinem litterarum formatarum excesserunt.Guttae EGaIn in situ exemplaris positae per iniectionem manualem per acum 27-G et clysterem, in guttas proveniunt cum magnitudine minima 1 mm.Hoc problema solvi potest utendo EGaIn guttulis minoribus.Super figura 4 demonstrat spontaneum udus EGaIn adduci et ad superficies microformatas dirigi posse.Cum priori opere comparatur, processus udus iste relative celeriter est et nulla vis externa requiritur ad udus perficiendum (Supplementary Table 2).
insigne universitatis, littera b, c in forma fulmen.Regio absorbens agmine columnarum obducitur D = l = 25 µm.d, ampliata costarum imagines in e (c).Scalae (a-c) et (d, e) sunt 5 mm et 500 µm, respective.On (c-e), parvae guttae in superficie post adsorptionem convertuntur in aquam propter reactionem inter oxydatum gallium et vaporem HCl.Nullus insignis effectus formationis aquae in udus observatus est.Aqua facile tollitur per processum simplicem desiccandi.
Ob liquidam indolem EGaIn, EGaIn Cu/PDMS (EGaIn/Cu/PDMS) adhiberi possunt ad electrodes flexibiles et extensibiles.Figura 5a resistentiae mutationes originalium Cu/PDMS et EGaIn/Cu/PDMS sub diversis oneribus comparat.Resistentia Cu/PDMS in tensione acriter oritur, dum resistentia EGaIn/Cu/PDMS in tensione gravis manet.Pridie fici.5b et d imagines SEM ostendunt et EMF notitiarum rudium Cu/PDMS et EGaIn/Cu/PDMS ante et post intentionem applicationis ostendunt.Integrum Cu/PDMS, deformatio rimas in duris Cu pellicularum depositis in PDMS depositas ob mis match elasticitatis causare potest.E contra, pro EGaIn/Cu/PDMS, EGaIn adhuc bene tunicas Cu/PDMS substrat et continuitatem electricam conservat sine rimas vel deformatione significantium etiam post contentionem adhibita.EDS data confirmavit gallium et indium ab EGaIn aequaliter distributum esse in subiecto Cu/PDMS.Insigne est EGaIn veli crassitudinem eandem esse et cum columnarum altitudine comparandam. Hoc etiam confirmatur ulteriore analysi topographica, ubi relativa differentia inter crassitudinem cinematographici et altitudinem cursoris <10% est (supplementum Fig. 8 et Tabula 3). Hoc etiam confirmatur ulteriore analysi topographica, ubi relativa differentia inter crassitudinem cinematographici et altitudinem cursoris <10% est (supplementum Fig. 8 et Tabula 3). то также подтверждается дальнейшим топографическим анализом. столба составляет <10% (дополнительный рис. 8 и таблица 3). Hoc etiam confirmatur ulteriore analysi topographica, ubi relativa differentia inter EGaIn cinematographici crassitiem et columnam altitudinis <10% est (Supplent. Fig. 8 et Tabula 3).Egain <10%（补充图8 3）。 <10% то также ло подтверждено дальнейшим топографическим анализом й столба составляла <10% (дополнительный рис. 8 и таблица 3). Hoc etiam confirmatur ab ulteriore analysi topographica, ubi relativum discrimen inter EGaIn cinematographicum crassitudinis et columnae altitudinis <10% erat (Supplentarium Fig. 8 et Tabula 3).Haec imbibitio fundata udus permittit crassitudinem EGaIn tunicarum stabilitatem in magnas areas bene moderari et conservari, quod aliter ob eius liquidam naturam provocans est.Figurae 5c et e conductivity et resistentiam deformationi comparant originalis Cu/PDMS et EGaIn/Cu/PDMS.In demo, DUXERIT electrodes convertit in coniuncta cum intacto Cu/PDMS vel EGaIn/Cu/PDMS.Integrum Cu/PDMS tenditur, ducitur vertit.Nihilominus, EGaIn/Cu/PDMS electrodes electrically etiam sub onere conexi manserunt, et lumen ductum solum leviter obscuravit ob resistentiam electrode auctam.
resistentia Normalised mutatur cum onere augendo in Cu/PDMS et EGaIn/Cu/PDMS.b, d SEM imagines et industria spectroscopiae dispersae X-radii (EDS) analysis ante (top) et post (imo) polydiplexae onustae in (b) Cu/PDMS et (d) EGaIn/Cu/methylsiloxane.c, e LEDs appositis (c) Cu/PDMS et (e) EGaIn/ Cu/PDMS ante (top) et post (imo) extensio (~30% vis).Scala in (b) et (d) est 50 µm.
Pridie fici.6a resistentiam EGaIn/Cu/PDMS ostendit ut functionem iactationis ab 0% ad 70%.Augmentum et recuperatio resistentiae proportionalis est deformationi, quae in bono congruens cum lege Pouillet est materiae incompressibilis (R/R0 = (1 + ε)2), ubi R resistentia est, R0 resistentia initialis est, ε cantatur 43 . Aliae commentationes ostenderunt solidae particulae in medio liquido se ordinare posse, et in melius cohaerere aequaliter distribui, eoque minuendo augeri trahere 43, 44 . In hoc autem opere, conductor est >99% metallum liquidum ex volumine quoniam membrana Cu cinematographica tantum 100 um crassa sunt. In hoc autem opere, conductor est >99% metallum liquidum ex volumine quoniam membrana Cu cinematographica tantum 100 um crassa sunt. днако в той работе проводник состоит из>99% жидкого еталла по объему, так как пленки Cu иеют тол 100 нсее иеют толо 100 ненке. Tamen in hoc opere, conductor constat ex >99% metallo liquido per volumen, cum membrana Cu cinematographica tantum 100 nm crassa sint.Cu 薄膜只有100 um >99%Cu 100 um >99%Tamen in hoc opere, cum pellicula Cu cinematographica tantum 100 um crassa sit, conductor plus quam 99% metalli liquidi (per volumen constat).Ideo non exspectamus Cu ut multum conferant ad proprietates electromechanicae conductores.
a Normalised mutatio in EGaIn/Cu/PDMS resistentia versus in iugi 0-70% contendens.Maximus accentus ante defectum PDMS pervenit 70% erat (Fig. 9).Punctis rubris sunt valores theoretici qui lege Puet praedicuntur.b EGaIn/Cu/PDMS conductivity stabilitatis experimentum in iteratis cyclis tractum protentum.A 30% iactatio in experimento cyclico adhibita est.Squama vectis in inset est 0,5 cm.L longitudo initialis EGaIn/Cu/PDMS ante extensionem est.
Mensuratio factor (GF) sensum sensoris exprimit et definitur ut ratio mutationis resistendi mutandi in strain45.GF aucta ab 1.7 ad 10% contentionem ad 2.6 ad 70% contentionem propter mutationem geometricam metalli.Comparatus ad alias gauges contentiones, GF EGaIn/Cu/PDMS valor modicus est.Sensorem, licet GF eius peculiariter altum esse non possit, EGaIn/Cu/PDMS robustam mutationem resistentiae exhibet in responsione ad signum submissa rationi sonitus oneris.Ad aestimandam conductivity stabilitatem EGaIn/Cu/PDMS, resistentia electrica in iteratis cyclis tractibus protensis ad 30% contentionem monita est.Ut in fig.6b, post 4000 cyclos extensos, valor resistentiae intra 10% manebat, quod fieri potest ex continua formatione scalae in cyclis iteratis emissis.Ita, diuturnum tempus stabilitatis electricae EGaIn/Cu/PDMS ut electrode extenti et firmitas signi sicut iactantiae coniecturae confirmatae sunt.
In hoc articulo tractamus de melioribus udus proprietatibus GalM in superficiebus metallicis microstructis ex infiltratione causatis.Spontanea integra udus EGaIn consecutus est in superficiebus metallicis columnaribus et pyramidalibus coram vaporibus HCl.Hoc numero explicari potest secundum exemplar Wenzel et processus wicking, quod ostendit magnitudinem post microstructuram requisitam ad wicking-inductum udus.Spontanea et selectiva udus EGaIn, microstructurae superficiei metalli ductus, efficit ut uniformes tunicas in magnas areas et formas metallicas liquidas formare possit.EGaIn-coactata Cu/PDMS subiecta retinent nexus electricas etiam cyclos extensos et repetitos cyclos extendens, sicut confirmata mensuras resistentiae SEM, EDS et electricae.Praeterea resistentia electrica Cu/PDMS cum EGaIn mutationibus reversibiliter et fideliter obductis pro proportione ad contentionem applicatam, eius applicationem potentialem sicut contentionem sensorem indicans.Commoda possibilia quae ex humido metallico udus principio ex imbibitio causato sunt haec sunt: ​​(1) GaLM efficiens et patterning sine vi externa effici potest;(2) GaLM udus super superficiem microstructuram cupri iactatam est thermodynamicus.cinematographicum GaLM inde stabile etiam sub deformitate est;(3) Mutata altitudine columnae cupreae iactatae in GalM cinematographico continenti crassitudine formare potest.Praeterea accessus hic minuit quantitatem GalM necessariam ad cinematographicam, sicut columnae partem cinematographicae occupant.Exempli gratia, cum columna columnarum cum diametro 200 µm (distantia inter columnas 25 µm) introducitur, volumen GalM requisitum pro formatione cinematographico (~9 μm3/μm2) comparabilis est cinematographico volumine sine columnas.(25 µm/µm2).In hoc autem casu consideranda est resistentia theorica, quae secundum legem Pueti aestimatur, etiam novies augeri.Altiore, singulares proprietates udus metallorum liquorum in hoc articulo tractatos praebent efficientem modum ad deponendi metalla liquida in variis subiectis pro electronicis extensivis et aliis applicationibus emergentibus.
Substratae PDMS paratae sunt mixtione Sylgardis 184 matricis (Dow Corning, USA) et obduratio in rationibus 10:1 et 15:1 ad probationes distrahendas, deinde curando in clibano ad 60°C.Aeris vel pii lagana in siliconibus deposita (Silicon Wafer, Namkang High Co. Technology, Ltd., Respublica Coreae) et PDMS subiecta est cum 10 nm crassis strato titanio adhaesivo adhibito systematis putris consuetudo.Columnares et pyramidales structurae in PDMS subiectae depositae sunt utens laganum laganum processum photolithographicum.Latitudo et altitudo exemplaris pyramidalis sunt 25 et 18 µm, respective.Altitudo taleae exemplaris fixa erat 25 µm, 10 µm et 1 µm, et diametri et picis variae ab 25 ad 200 µm.
Contactus angulus EGaIn (gallium 75,5%/indium 24.5%, >99.99%, Sigma Aldrich, Respublica Coreae) mensuratus est utens guttae figurae analysi (DSA100S, KRUSS, Germania). Contactus angulus EGaIn (gallium 75,5%/indium 24.5%, >99.99%, Sigma Aldrich, Respublica Coreae) mensuratus est utens guttae figurae analysi (DSA100S, KRUSS, Germania). раевой угол EGaIn (галлий 75,5 %/индий 24,5 %, >99,99 %, Sigma Aldrich, Республика орея) измеряли с помощью каплRUSанааооощалиаооощалинаооощью капл ания). Angulus margo EGaIn (gallium 75,5%/indium 24.5%, >99.99%, Sigma Aldrich, Respublica Coreae) mensuratus est utens guttatim analysi (DSA100S, KRUSS, Germania). EGaIn（镓75.5%/铟24.5%，>99.99%，Sigma Aldrich，大韩民国）的接触角使用滴形分析仪（DSA100S，KRUSS，德国）测量。 EGaIn (gallium75.5%/indium24.5%, >99.99%, Sigma Aldrich, 大韩民国) mensuratum est utens contactu analysi (DSA100S, KRUSS, Germania). раевой угол EGaIn (галлий 75,5%/индий 24,5%, >99,99%, Sigma Aldrich, Республика орея) измеряли с помощью анализатора л ния). Angulus margo EGaIn (gallium 75.5%/indium 24.5%, >99.99%, Sigma Aldrich, Respublica Coreae) mensurata est figura pilei analystoris (DSA100S, KRUSS, Germania).Subiectum pone in 5 cm 5 cm 5 cm thalamum vitreum et pone 4-5 µl guttam EGaIn in substratum utens 0,5 mm diametro clystere.Ad medium vaporum HCl creandum, 20 µL solutionis HCl (37 wt.%, Samchun Chemical, Respublica Coreae) iuxta subiectum posita est, quod satis evaporatum erat ad implendum cubiculum intra 10 s.
SEM superficies effigiata est (Tescan Vega 3, Corea Tescan, Respublica Coreae).EDS (Tescan Vega 3, Corea Tescan, Respublica Coreae) studiis analysi qualitativa elementi et distributioni adhibita est.EGaIn/Cu/PDMS topographia superficiei usus profilometer opticus (Profilm3D, Filmetrica, USA) evolvit.
Ad investigandam mutationem conductivity electricae per cyclos extensos, exempla cum et sine EGaIn in apparatu extento (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Reipublicae Coreae) erant et electricaliter annexi Keithley 2400 metri fonte. Ad investigandam mutationem conductivity electricae per cyclos extensos, exempla cum et sine EGaIn in apparatu extento (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Reipublicae Coreae) erant et electricaliter annexi Keithley 2400 metri fonte. ля исследования изменения лектропроводности во время циклов растяжения образцы с EGaIn и без непл линаости во время иклов астяжения (Inflexio & Stretchable Machina Ratio, SnM, Республика орея) и электрически подключали к измерителю источника Keithley 2400. Studere mutationem in conductivity electrica per cyclos tendere, exempla cum et sine EGaIn in apparatu extento (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Republica Corea) et electrically cum Keithley 2400 fonte metri connexae sunt.Studere mutationem conductivity electricae per cyclos tendens, exempla cum et sine EGaIn erant in protensa fabrica (Mandibulae SnM, Reipublicae Coreae) et electrice cum Keithley 2400 SourceMeter coniuncta.Metitur mutationem resistendi in extensione ab 0% ad 70% exempli pv.Ad stabilitatem experimenti, mutatio resistentiae supra 4000 30% cyclorum contentionem metiebatur.
Pro magis notitia de studio consilio, naturam abstractam ad hoc articulum connexum videre.
Data suffragantibus proventus huius studii in Information supplementariis et documentis rudis data exhibentur.Hic articulus praebet notitia originalis.
Daeneke, T. et al.Metalla liquida: Basis chemica et Applications.Chemical.societatem.47, 4073–4111 (2018).
Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MD attributa, fabricatio, et applicationes particulis metallicis liquidis gallium-fundatis. Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MD attributa, fabricatio, et applicationes particulis metallicis liquidis galli-substructis.Lin, Y., Genzer, J. et Dickey, MD Proprietates, fabricatio et applicatio particulis metallicis gallii substructio liquida. Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MD Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MDLin, Y., Genzer, J. et Dickey, MD Proprietates, fabricatio et applicatio particulis metallicis gallii substructio liquida.Provecta scientia.7, 2000-192 (2020).
Koo, HJ, Sic, JH, Dickey, MD & Velev, OD Ad materiam molliss circuitus: prototypa machinarum quasi liquidarum cum notis memristoris. Koo, HJ, Sic, JH, Dickey, MD & Velev, OD Circuitus ad omnem materiam mollis: prototypa machinarum quasi liquidarum cum notis memristoris.Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD, Velev, OD Circuitiones plane materiae mollis compositae: Prototypa machinarum quasi liquidarum cum notis memristoris. Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD & Velev, OD Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD & Velev, ODKoo, HJ, Sic, JH, Dickey, MD, et Velev, OD Ad Circuitus Omnia Mollia: Prototypa quasi-fluidi machinae cum Memristor Proprietatibus.Provectus alma mater.23, 3559–3564 (2011).
Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RK Liquid metallicum permutat pro electronicis environmentally- responsuris. Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RK Liquid metallicum permutat pro electronicis environmentally- responsuris.Bilodo RA, Zemlyanov D.Yu., Kramer RK Liquid metallicum permutat pro environmentally- amica electronicis. Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RK Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RKBilodo RA, Zemlyanov D.Yu., Kramer RK Liquid metallicum permutat pro environmentally- amica electronicis.Provectus alma mater.Instrumenti IV, 1600913 (2017).
Ita, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD rectificatio ionica vena in materia mollia diodes cum electrodes liquidi metallici. Ita, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD rectificatio ionica vena in materia mollis diodae cum electrodes liquido-metal. ак, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD онное выпрямление тока в диодах из мягкого атериала с электродами из жадами из жадами из жатериала Sic, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD rectificatio ionica vena in materia molli diodei cum electrodes metallicis liquidis. Ita, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD Ita, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD ак, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD онное выпрямление тока в диодах из мягкого материала с жидкометаллическимилическимилическими. Sic, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD rectificatio ionica vena in materia molli diodei cum electrodes metallicis liquidis.Extensis facultatibus.alma mater.22, 625-631 (2012).
Kim, M.-G., Brown, DK & Brand, O. Nanofabricatio omnium mollis et altae densitatis electronicarum machinarum ex metallo liquido. Kim, M.-G., Brown, DK & Brand, O. Nanofabricatio omnium mollis et altae densitatis electronicarum machinarum ex metallo liquido.Kim, M.-G., Brown, DK et Brand, O. Nanofabrication pro liquido metallo electronico substructio in omni-mollis et altae densitatis.Kim, M.-G., Brown, DK, Brand, O. Nanofabrication altae densitatis, omnia mollia electronica ex metallo liquido.Communis Nationalis.11, 1–11 (2020).
Guo, R. et al.Cu-EGaIn testa electronica extensibilis est pro electronicis interactivo et CT localizatione.alma mater.Herennius.7. 1845-1853 (2020).
Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted electronica: ultrathin extensum Ag-In-Ga E-cutis pro bioelectronicis et machina humana commercio. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted electronica: ultrathin extensum Ag-In-Ga E-cutis pro bioelectronicis et machina humana commercio.Lopez, PA, Paysana, H., De Almeida, AT, Majidi, K., et Tawakoli, M. Hydroprinting electronics: Ag-In-Ga Ultrathin extendens Electronic Pellem pro Bioelectronics et Humana Machina Interactiones. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted electronics: ultrathin extensum Ag-In-Ga E-cutis pro bioelectronicis et machinatione humana commercio. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted electronics: ultrathin extensum Ag-In-Ga E-cutis pro bioelectronicis et machinatione humana commercio.Lopez, PA, Paysana, H., De Almeida, AT, Majidi, K., et Tawakoli, M. Hydroprinting electronics: Ag-In-Ga Ultrathin extendens Electronic Pellem pro Bioelectronics et Humana Machina Interactiones.ACS
Yang, Y. et al.Nanogeneratores ultra-tensiles et machinatores triboelectricae fundatae in metallis liquidis pro electronicis wearable.SAU Nano 12, 2027–2034 (2018).
Gao, K. et al.Progressio microchannel structurae pro sensoriis excedentem in liquidis metallis in cella temperie fundata.de scientia.Report 9, 1–8 (2019).
Chen, G. et al.EGaIn fibrae superelasticae compositae 500% distrahentes contentionem sustinere possunt et electricam optimam conductivity pro electronicis gestabilibus habentibus.ACS ad almam matrem refertur.Interface 12, 6112–6118 (2020).
Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. Direct wiring gallium-indium eutectici ad electrodam metallicam pro systematibus sensoribus mollibus. Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. Direct wiring gallium-indium eutectici ad electrodam metallicam pro systematibus sensoribus mollibus.Kim, S., Oh, J., Jeon, D. et Bae, J. Directa compages gallium-indium eutectici ad electrodes metallicae ad systemata sentiendi mollia. Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. -铟直接连接到软传感器系统的金属电极。 Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. gallium-indium electrode metallico ad mollis rationi sensori directe adnexa.Kim, S., Oh, J., Jeon, D. et Bae, J. Direct compages gallium-indium eutectici ad electrodes metallicae pro systematibus sensoribus mollibus.ACS ad almam matrem refertur.Interfaces 11, 20557–20565 (2019).
Yun, G. et al.Liquida metallo-repleta magnetorheologica elastomers cum piezoelectricitate positivo.Communis Nationalis.10, 1–9 (2019).
Kim, KK Multum sensitivum et multidimensionale distentum cedit cum percolatione gridum anisotropici metalli nanowires pressorum.Nanolet.15, 5240–5247 (2015).
Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J. & Zhang, L. Universaliter sui ipsius sanationis elastomer magna cum extensione. Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J. & Zhang, L. Universaliter sui ipsius sanationis elastomer magna cum extensione.Guo, H., Han, Yu., Zhao, W., Yang, J., et Zhang, L. Versatile sui medendi elastomer cum summa elasticitate. Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J. & Zhang, L. Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J. & Zhang, L.Guo H., Han Yu, Zhao W., Yang J. et Zhang L. Versatile offline sui sanationis alta distrahentes elastomers.Communis Nationalis.11, 1–9 (2020).
Zhu X. et al.Ultradrawn fibris metallicis conductivis utens nucleos liquidae metallicae mixturae.Extensis facultatibus.alma mater.23, 2308-2314 (2013).
Khan, J. et al.Studere premens electrochemicae filum metallicum liquidae.ACS ad almam matrem refertur.Interface 12, 31010–31020 (2020).
Lee H. et al.Evaporatio-inducta sinteratio stillae metallicae liquidae cum bionanofibris ad conductionem electricam flexibilem et actuositatem responsivam.Communis Nationalis.10, 1–9 (2019).
Dickey, MD et al.Gallium-indium Eutecticum (EGaIn): mixtura liquida metallica adhibita ad structuras stabilis in microchannels ad cella temperaturas formandas.Extensis facultatibus.alma mater.18, 1097–1104 (2008).
Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Liquida metalla subnixa robotica mollia: materias, consilia et applicationes. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Liquida metalla subnixa robotica mollia: materias, consilia et applicationes.Wang, X., Guo, R. et Liu, J. Mollia robotica ex liquore metallico: materias, constructiones et applicationes. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Liquid metallo-substructio robots mollis: materias, consilium et applicationes.Wang, X., Guo, R. et Liu, J. Mollia robots fundata ex metallo liquido: materias, constructiones et applicationes.Provectus alma mater.technicae artis 4, 1800549 (2019).